本篇文章给大家谈谈死区时间到底是如何算得的？求助，非常感谢！，死区时间怎么计算？，以及什么是死区计算?死区计算的作用是什么对应的知识点，文章可能有点长，但是希望大家可以阅读完，增长自己的知识，最重要的是希望对各位有所帮助，可以解决了您的问题，不要忘了收藏本站喔。

死区时间到底是如何算得的？求助，非常感谢！

DBTCONA的第2-4位是定时器频率设置 000 cpu频率/1 001 cpu频率/2 。。。。110 cpu频率/32假如2-4位设置为100，那么定时频率就是150/16M。所需要的死区时间是1.6us，那么150/16*1.6=15 就是你要设置的定时周期，也就是DBTCONA的第8-11位。所以DBTCONA可以设置为：0x0ef0

计算机组成原理中的 集中式刷新 “死区”，死时间率怎么计算？？？？

死区时间：行数x刷新每行的时间
死时间率：死区时间/总时间，总时间一般是2ms

新人求助，关于pwm死区时间

DT为死区持续时间，TDTS为系统时钟周期时长，Tdtg为系统时钟周期时长乘以倍数后的死区设置时间步进值。
在72M的定时器时钟下TDTS=1/72M=13.89ns.
所以以第一个公式，死区时间能以13.89ns的步进从0调整到127*13.89ns=1764ns
第二个公式则能（64+0）*2*13.89~（64+63）*2*13.89=1777.9ns~3528.88ns
换个角度看，就是（128~254）*13.89同理，
第三个公式就是3555.84ns~7000.56ns
换个角度看，就是（256~504）*13.89
第四个公式就是7111.68ns~14001.12ns
换个角度看，就是(512~1008)*13.89

计算机组成原理，异步刷新的死区小问题。谢谢。 图片中的死区时间怎么计算出来的？

动态RAM 电容器充放电原理 需要刷新
每个2ms刷一次
因为是128*128的芯片 所以要对刷新128个存取周期（对每一行刷新）
死区时间是128*0.5=64
补充在一个存取周期里只刷新一行？
补充是啊 存取周期是连续进行两次存储器操作所需要的时间 一行是一个存储字 所以每次只能刷新一行（一个存储字）

这是我的理解。。。

新人求助，关于pwm死区时间

TDTS

TIM->CR1
CKD[1:0]: 时钟分频因子
这2位定义在定时器时钟(CK_INT)频率、死区时间和由死区发生器与数字滤波器(ETR,TIx)所用的采样时钟之间的分频比例。
00：tDTS = tCK_INT
01：tDTS = 2 x tCK_INT
10：tDTS = 4 x tCK_INT
11：保留，不要使用这个配置
就是根据TDTS来计算死区时间
TIM_TimeBaseStructure.TIM_ClockDivision = 0; //72mhz 运与计算死区时间 我没分频 那TDTS 就是72mhz 算了？

如何计算示波器的死区时间

就要先说说示波器的工作流程，首先是触发，然后是波形采集、存储、处理，最后是波形显示。在存储、处理、显示的这段时间里，示波器是不采集信号的，属于示波器盲区，也就是死区时间。

什么是死区时间

　　死区时间是PWM输出时，为了使H桥或半H桥的上下管不会因为开关速度问题发生同时导通而设置的一个保护时段。　　由于IGBT等功率器件都存在一定的结电容，所以会造成器件导通关断的延迟现象。一般在设计电路时已尽量降低该影响，比如尽量提高控制极驱动电压电流，设置结电容释放回路等。为了使igbt工作可靠，避免由于关断延迟效应造成上下桥臂直通，有必要设置死区时间，也就是上下桥臂同时关断时间。死区时间可有效地避免延迟效应所造成的一个桥臂未完全关断，而另一桥臂又处于导通状态，避免直通炸模块。　　死区时间大，模块工作更加可靠，但会带来输出波形的失真及降低输出效率。死区时间小，输出波形要好一些，只是会降低可靠性，一般为us级。一般来说死区时间是不可以改变的，只取决于功率元件制作工艺！

三相方波逆变电路pwm死区时间

什么是死区时间？

　　数据手册的参数

　　如何计算合理的死区时间？

　　STM32中配置死区时间

　　什么是死区时间？PWM是脉冲宽度调制，在电力电子中，最常用的就是整流和逆变。这就需要用到整流桥和逆变桥。

　　对三相电来说，就需要三个桥臂。以两电平为例，每个桥臂上有两个电力电子器件，比如IGBT。大致如下图所示；

　　

　　这两个IGBT不能同时导通，否则就会出现短路的情况，从而对系统造成损害。

　　那为什么会出现同时导通的情况呢？

　　因为开关元器件的 和 严格意义并不是相同的。

　　所以在驱动开关元器件门极的时候需要增加一段延时，确保另一个开关管完全关断之后再去打开这个开关元器件，通常存在两种情况；

　　上半桥关断后，延迟一段时间再打开下半桥；

　　下半桥关断后，延迟一段时间再打开上半桥；

　　这样就不会同时导通，从而避免功率元件烧毁；死区时间控制在通常的单片机所配备的PWM中都有这样的功能，下面会进一步介绍。

　　

　　相对于PWM来说，死区时间是在PWM输出的这个时间，上下管都不会有输出，当然会使波形输出中断，死区时间一般只占百分之几的周期。但是当PWM波本身占空比小时，空出的部分要比死区还大，所以死区会影响输出的纹波，但应该不是起到决定性作用的。

　　另外如果死区设置过小，但是仍然出现上下管同时导通，因为导通时间非常非常短，电流没有变得很大，不足以烧毁系统，那此时会导致开关元器件发热严重，所以选择合适的死区时间尤为重要，过大过小都不行。

　　数据手册的参数这里看了一下NXP的IRF540的数据手册，栅极开关时间如下所示；

　　

　　典型参数

　　：门极的开通延迟时间

　　：门极的关断延迟时间

　　：门极上升时间

　　：门极下降时间

　　下面是一个IGBT的数据手册；

　　开关属性

　　如何计算合理的死区时间？这里用 表示死区时间，因为门极上升和下降时间通常比延迟时间小很多，所以这里可以不用考虑它们。则死区时间满足；

　　：最大的关断延迟时间；

　　：最小的开通延迟时间；

　　：最大的驱动信号传递延迟时间；

　　：最小的驱动信号传递延迟时间；

　　其中 和 正如上文所提到的可以元器件的数据手册中找到； 和 一般由驱动器厂家给出；

　　如果是MCU的IO驱动的话，需要考虑IO的上升时间和下

什么是死区时间？？

死区时间有2个含义，具体如下：

一、《死区时间》(Deadtime )是2013年澳大利亚的一部动作电影。

电影简介：女儿的失踪让父亲陷入了对犯罪者的极度罪恶感，他的厌恶情绪影响了他的生活，同时另一方面，女儿自己也不知所措，她唯一的希望就是有一个偶然的机会可以让她逃离出魔爪。

二、电脑专业术语。

死区时间是PWM输出时，为了使H桥或半H桥的上下管不会因为开关速度问题发生同时导通而设置的一个保护时段，通常也指pwm响应时间。

在这个时间，上下管都不会有输出，当然会使波形输出中断，死区时间一般只占百分之几的周期。但是PWM波本身占空比小时，空出的部分要比死区还大，所以死区会影响输出的纹波，但应该不是起到决定性作用的。

死区时间时序图如下图所示：